小功率可控硅測(cè)試儀型號(hào)：DBC-022/032

小功率可控硅測(cè)試儀型號(hào)：DBC-022/032

專門針對(duì)小功率可控硅研制開發(fā)的測(cè)試儀，可測(cè)試各種小型塑封管，型號(hào)包括 BTA16、MCR100-6、T410等。可測(cè)試參數(shù)有:伏安特性、觸發(fā)特性等，測(cè)試準(zhǔn)確，重復(fù)性好。
　　峰值電壓測(cè)試范圍: 0-2500V
　　峰值漏電流測(cè)試范圍: 0-2000uA,0-100mA
　　觸發(fā)電壓測(cè)試范圍: 0-5V
　　觸發(fā)電流測(cè)試范圍: 5-500uA,0-200mA

晶閘管朗涌電流測(cè)試臺(tái) 型號(hào)：DBC－101－ITSM

簡介
DBC－101－ITSM晶閘管浪涌電流測(cè)試臺(tái)的測(cè)試方法符合國標(biāo)，用于檢驗(yàn)晶閘管的浪涌電流過載能力，主回路采用LC振蕩直接放電法，浪涌電流接近正弦半波。控制回路采用單片機(jī)控制，所測(cè)參數(shù)數(shù)字顯示。是晶閘管和整流二管生產(chǎn)、應(yīng)用等單位的*設(shè)備。
技術(shù)指標(biāo)：
1．ITSM為底寬接近10ms的近似正弦半波。
2．ITSM測(cè)試范圍：500A—6000A，分辨率10A，精度±5%，數(shù)字表顯示。
3．VRM測(cè)試范圍：200V—2000V，分辨率10V，精度±5%，數(shù)字表顯示。
4．測(cè)試頻率：單次。
5．設(shè)備配有示波器供觀看反向伏安特性波形